Samsung a annoncé cette semaine sa mémoire HBM2E «Flashbolt» de 3e génération. La dernière génération de mémoire à bande passante élevée 2 est conçue pour maximiser les performances de calcul des systèmes HPC et aider les fabricants à faire progresser leurs conceptions de superordinateurs.

Le nouveau «Flashbolt» HBM2E de Samsung fournira le double de la capacité de la génération précédente de 8 Go «Aquabolt» HBM2, tout en augmentant fortement la bande passante et en améliorant l’efficacité énergétique pour augmenter considérablement les performances des systèmes informatiques de prochaine génération.

«Avec l’introduction de la DRAM la plus performante disponible aujourd’hui, nous franchissons une étape cruciale pour renforcer notre rôle d’innovateur leader sur le marché de la mémoire premium à croissance rapide», a déclaré Cheol Choi, vice-président exécutif des ventes et du marketing de la mémoire chez Samsung. Électronique. «Samsung continuera de tenir son engagement d’apporter des solutions vraiment différenciées tout en renforçant notre avantage sur le marché mondial de la mémoire.»

Pour atteindre une capacité de 16 Go dans HBM2E, Samsung a empilé verticalement huit couches de puces DRAM 16 gigabit de classe 10 nm (1 an) au-dessus de la puce tampon. Le boîtier est interconnecté avec un arrangement de 40 000 TSV, chaque puce de 16 Go contenant plus de 5 600 trous microscopiques.

Le nouveau «Flashbolt» HBM2E offre une vitesse de transfert de données pouvant atteindre 3,2 gigabits par seconde en utilisant une conception de circuit optimisée pour la transmission du signal et en offrant une bande passante mémoire de 410 Go / s par pile dans certaines applications. Ces performances représentent une augmentation de 1,7x par rapport à la bande passante précédente de 307 Go / s du HBM2 Aquabolt.

Crumpe dit: la mémoire HBM2E de nouvelle génération de Samsung fournira le double de la capacité et près de 2x les performances de la génération précédente pour booster les systèmes HPC. Que pensez-vous de cette introduction de la mémoire BHM2 de nouvelle génération de Samsung?

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